IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE008N03LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE220N15NM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 - 30V 0.85mOhm Dual N-MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 4.6 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Polarity | N-Channel | — |
| পিনের সংখ্যা | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| হ্যালোজেন মুক্ত | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |