IQE008N03LM5CGSCATMA1 vs IQE220N15NM5CGSCATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon اور IQE220N15NM5CGSCATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 - 150V 44A OptiMOS 5 N-MOSFET | Infineon
IQE220N15NM5CGSCATMA1 ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IQE008N03LM5CGSCATMA1 | IQE220N15NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) Max | 252 A (per channel, case-temperature limited) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max | 0.85 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | 4.6 V |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55C to +150C (junction) | -55C to +150C (junction) |
| پیکیج | PG-WHTFN-9 (WHTFN) | PG-WHTFN-9 (Source-Down) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount (top + bottom cooling) | Surface Mount |
| Technology | Trench MOSFET (OptiMOS 5) | OptiMOS 5, Source-Down |
| Polarity | N-Channel | — |
| پنز کی تعداد | 9 (WHTFN with exposed thermal pads) | — |
| MSL لیول | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon Power-SMD packages) | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| ہیلوجن فری | Yes (Infineon standard for OptiMOS 5) | — |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current at Ta (ID) | — | 7 A |
| Continuous Drain Current at Tc (ID) | — | 44 A |
| Power Dissipation at Ta (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at Tc (PD) | — | 100 W |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 22 milliohm (max) |