IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE008N03LM5CGATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE012N03LM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE008N03LM5CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1 - 30V 253A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE012N03LM5CGATMA1 | IQE008N03LM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 34 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, Tc) | 224 A | — |
| On-Resistance RDS(on), typ | 1.20 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| Technology / Process | OptiMOS 5 trench | — |
| প্যাকেজ | PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) | PG-TTFN-9-1 (8-PowerTDFN) with wettable flanks |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -55 C to +150 C (TJ) | — |
| Gate Drive (recommended) | 10 V (logic-level compatible) | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 27 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 253 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 0.85 mOhm (typ) @ 20 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-16 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 64 nC (typ) |
| Input Capacitance (Ciss) at VDS=15V | — | 5700 pF (typ) |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss typical] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss typical] |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.1 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 89 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (compliant per Infineon product page) |
| AEC-Q100 Automotive | — | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status] |