IQE012N03LM5CGATMA1 vs IQE008N03LM5CGATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IQE012N03LM5CGATMA1 bằng Infineon và IQE008N03LM5CGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IQE012N03LM5CGATMA1 IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 - 30V 224A OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IQE012N03LM5CGATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
IQE008N03LM5CGATMA1 IQE008N03LM5CGATMA1 - 30V 253A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGATMA1 - 30V 253A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5CGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IQE012N03LM5CGATMA1 IQE008N03LM5CGATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Ta) 34 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 224 A —
On-Resistance RDS(on), typ 1.20 mOhm —
Gate-Source Threshold VGS(th) 1.0 V to 2.4 V (typ, OptiMOS 5 logic-level) —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
Technology / Process OptiMOS 5 trench —
Hộp PG-TTFN-9-3 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down, center-gate) PG-TTFN-9-1 (8-PowerTDFN) with wettable flanks
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55 C to +150 C (TJ) —
Gate Drive (recommended) 10 V (logic-level compatible) —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 253 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 0.85 mOhm (typ) @ 20 A
Gate-Source Voltage (VGS) Max — +/-16 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max]
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 64 nC (typ)
Input Capacitance (Ciss) at VDS=15V — 5700 pF (typ)
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss typical]
Power Dissipation (PD) at Ta=25C — 2.1 W
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 89 W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (compliant per Infineon product page)
AEC-Q100 Automotive — [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification status]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá