IQE013N04LM6ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE013N04LM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPB35N10S3L26ATMA2 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 - 40V 1.35mΩ OptiMOS N-FET, PQFN 3.3x3.3 | Infineon
IQE013N04LM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE013N04LM6ATMA1 | IPB35N10S3L26ATMA2 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | OptiMOS N-channel trench MOSFET | — |
| Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 205 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 107 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] | — |
| On-Resistance RDS(on) typ | 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V (typ) | — |
| প্যাকেজ | PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down | PG-TO263-3-2 (D2PAK) |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| Source-Down Topology | Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS Power-Transistor |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 35 A |
| পালসড ড্রেইন কারেন্ট | — | 180 A |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 71 W |
| RDS(on) (typical) | — | 26.3 mOhm |
| পিনের সংখ্যা | — | 3 |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg typical value] |
| Automotive Qualified | — | Yes (per Infineon product page classification) |