IQE013N04LM6ATMA1 vs IPB35N10S3L26ATMA2 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IQE013N04LM6ATMA1 tarafından Infineon ve IPB35N10S3L26ATMA2 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPB35N10S3L26ATMA2 IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 - 100V 35A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPB35N10S3L26ATMA2 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IQE013N04LM6ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA2
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Technology OptiMOS N-channel trench MOSFET —
Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (Ta) 31 A —
Continuous Drain Current (Tc) 205 A —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 107 W —
On-Resistance RDS(on) max [DATA_NEEDED: RDS(on) max value at VGS=10V] —
On-Resistance RDS(on) typ 1.35 mΩ @ VGS=10 V, ID=20 A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (typ) —
Paket PG-TSON-8-4 / PQFN 3.3x3.3 mm Source-Down PG-TO263-3-2 (D2PAK)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +175 °C -55C to +175C
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Source-Down Topology Yes (flip-chip die attach, drain on top thermal pad) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS Power-Transistor
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 35 A
Pulsed Dræn Akımı — 180 A
Power Dissipation (Pd) at Tc — 71 W
RDS(on) (typical) — 26.3 mOhm
Pin Sayısı — 3
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
Automotive Qualified — Yes (per Infineon product page classification)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin