IQE018N06NM6CGATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQE018N06NM6CGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IPT015N10NF2SATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQE018N06NM6CGATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 6 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | 178 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D, Ta) | 25 A | — |
| R_DS(on) max (V_GS=10 V) | 1.8 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | 3.3 V (logic-level compatible) | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| প্যাকেজ | PG-TTFN-9-3 (TOLL/TTFN) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| RoHS Compliance | Compliant | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| সিঙ্গেল পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |
| RoHS স্ট্যাটাস | — | Compliant |