IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQE050N08NM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ সক্রিয়Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | 99 A |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| প্যাকেজ | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 (trench) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.0 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.8 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | — | 100 W |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | — | -55C to +175C (junction, typical) |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free, RoHS compliant |
| MSL লেভেল | — | 1 |