IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 vs IQE050N08NM5CGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 מאת Infineon ו IQE050N08NM5CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon
IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 ✓ פעילInfineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 - 80V 99A OptiMOS 5 N-Channel MOSFET | Infineon
IQE050N08NM5CGSCATMA1 ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1 | IQE050N08NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 7 Power-Transistor | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | 54 A | 16 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 422 A | 99 A |
| RDS(on) Max | 0.5 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typ | 2 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TA | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TC | 150 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| מארז | PG-WHTFN-9-1 (surface mount) | PG-WHTFN-9-1 (Source-Down) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| Technology | Silicon N-Channel Power MOSFET | OptiMOS 5 (trench) |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 5.0 mOhm |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 3.8 V |
| Gate Charge Qg typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation at TC (PD) | — | 100 W |
| Total Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55C to +175C (junction, typical) |
| Lead-Free / RoHS | — | Lead-free, RoHS compliant |
| רמת MSL | — | 1 |