IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IQEH68NE2LM7UCGATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 - 25V OptiMOS 7 N-MOSFET, 338A | Infineon
IQEH68NE2LM7UCGATMA1 ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | — |
| প্যাকেজ | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL লেভেল | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| পিন সংখ্যা | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |