IQEH68NE2LM7UCGATMA1 vs IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IQEH68NE2LM7UCGATMA1 מאת Infineon ו IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IQEH68NE2LM7UCGATMA1 | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 7 | — |
| סוג טרנזיסטור | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 25 V |
| Continuous Drain Current (ID) @ Ta | 47 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) @ Tc | 338 A | — |
| Power Dissipation (PD) @ Ta | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (PD) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Threshold Voltage Type | Logic-level (per OptiMOS 7 family) | — |
| On-Resistance Family | RDS(on)10 / RDS(on)45 (10V and 4.5V rated) | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 °C | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 °C to +175 °C (typical for OptiMOS 7) | — |
| מארז | PG-TTFN-9-3 (surface mount) | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | OptiMOS 5 Power-Transistor |
| Packaging | Tape & Reel (per ATMA1 suffix) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 75 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 789 A |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 278 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | — | 0.29 mΩ |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | — | 2 V (typ) |
| מספר פינים | — | 9 |
| Cooling | — | Dual-side exposed pad (top + bottom) |