IRF1310NPBF vs IRF640NPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRF1310NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRF640NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRF1310NPBF | IRF640NPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 42 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | 36 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 73.3 nC | 44.7 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs value] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd value] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 160 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB (through-hole) | TO-220AB (through-hole, 3-pin) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| Technology | HEXFET | HEXFET (5th Generation) |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (PBF suffix) | Compliant |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 18 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 150 mOhm max at VGS = 10 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 150 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +150C |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes |
| dv/dt Rating | — | Dynamic, rated |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |
| Manufacturer | — | Infineon (formerly International Rectifier) |