IRFR3607TRPBF vs IRFR2405TRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR3607TRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR2405TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFR3607TRPBF | IRFR2405TRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 75 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 56 A | — |
| Calculated Die Drain Current | 80 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 140 W | — |
| Thermal Resistance (RthJC) | 1.0 C/W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) | -55 C to +175 C (junction) |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | IR HEXFET (planar DMOS) | HEXFET (IR MOSFET, 7th generation) |
| Avalanche SOA | Fully characterized | — |
| RoHS / Lead-Free | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 200 A (typical, per datasheet family) |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 16 mOhm |
| Gate Charge (Qg) typical | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 110 W |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (HEXFET ruggedized design) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |