IRFR3607TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFR3607TRPBF por Infineon e IRFR2405TRLPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFR3607TRPBF IRFR2405TRLPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,39 $0,55
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Faixa de temperatura de operação -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) -55 C to +175 C (junction)
Encapsulamento TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Tipo de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

Fichas técnicas e recursos

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