IRFR3607TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3607TRPBF par Infineon et IRFR2405TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3607TRPBF IRFR2405TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,39 $0,55
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) -55 C to +175 C (junction)
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

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