IRFR3607TRPBF vs IRFR2405TRLPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFR3607TRPBF von Infineon und IRFR2405TRLPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFR3607TRPBF IRFR2405TRLPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,39 $0,55
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 75 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 56 A —
Calculated Die Drain Current 80 A —
On-State Resistance (RDS(on)) 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 4 V —
Total Gate Charge (Qg) 56 nC —
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD, Tc) 140 W —
Thermal Resistance (RthJC) 1.0 C/W —
Betriebstemperaturbereich -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) -55 C to +175 C (junction)
Gehäuse TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK), 3-pin (2 + Tab)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Technology IR HEXFET (planar DMOS) HEXFET (IR MOSFET, 7th generation)
Avalanche SOA Fully characterized —
RoHS / Lead-Free Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) —
Transistortyp — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc — 56 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 200 A (typical, per datasheet family)
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 16 mOhm
Gate Charge (Qg) typical — 70 nC
Power Dissipation (PD) at Tc — 110 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
Avalanche Energy Rated — Yes (HEXFET ruggedized design)
Lead-Free / RoHS — Yes, PBF suffix indicates lead-free and RoHS compliant
Packaging — Tape & Reel (TR)

Datenblätter & Ressourcen

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