IRFR4615TRLPBF vs IRFR3411TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR4615TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR3411TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFR4615TRLPBF | IRFR3411TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Technology | IR MOSFET (N-Channel Enhancement Mode) | HEXFET Power MOSFET (IR) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 150 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 42 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 26 nC | — |
| Gate-Source Charge (Qgs) | [DATA_NEEDED: Qgs] | — |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | [DATA_NEEDED: Qgd] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 144 W | — |
| Avalanche Energy (EAS) | 109 mJ | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | -55 C to +175 C |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates Pb-free) | Yes (Lead-free, PBF suffix) |
| সিঙ্গেল পালস অ্যাভালাঞ্চ এনার্জি | 109 mJ | — |
| Polarity | — | N-Channel |
| FET Type | — | MOSFET (Metal Oxide) |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | — | 100 V |
| RDS(on) max @ VGS=10V | — | 44 mOhm |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | — | 32 A |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | — | 130 W |
| Gate Charge (Qg) | — | 48 nC |
| Operating Mode | — | Enhancement |
| Maximum Junction Temperature | — | 175 C |
| পিনের সংখ্যা | — | 3 |
| Avalanche Rated | — | Yes (fully avalanche rated) |
| dv/dt Rating | — | Dynamic dv/dt rated |