IRFR4620TRLPBF vs IRFR220NPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR4620TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR220NPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR220NPBF IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF - 200V N-Channel HEXFET MOSFET, 5A | Infineon

IRFR220NPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR4620TRLPBF IRFR220NPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET HEXFET (Planar)
প্যাকেজ / কেস TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +175C —
Lead Free Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
MSL লেভেল 1 (Unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
FET Type — N-Channel MOSFET, Metal Oxide
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 200 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 5 A
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 43 W
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 0.6 ohm at VGS = 10 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes, lead-free (PBF suffix)
Avalanche Energy Rated — Yes (per datasheet characterization)
পিন সংখ্যা — 3 (Gate, Drain, Source) plus tab

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট