IRFR4620TRLPBF vs IRFR220NPBF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRFR4620TRLPBF द्वारा Infineon और IRFR220NPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IRFR4620TRLPBF | IRFR220NPBF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IRFR4620TRLPBF | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 200 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 24 A at Tc | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 78 mOhm max at VGS=10V | — |
| Gate Charge (Qg) | 25 nC typical | — |
| Power Dissipation (PD) | 144 W at Tc | — |
| Technology | IR MOSFET | HEXFET (Planar) |
| पैकेज / केस | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | -55C to +175C | — |
| Lead Free | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET, Metal Oxide |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 5 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 43 W |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | — | 0.6 ohm at VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes, lead-free (PBF suffix) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet characterization) |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) plus tab |