IRFR4620TRLPBF vs IRFR3607TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFR4620TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR3607TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRFR4620TRLPBF IRFR3607TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET IR HEXFET (planar DMOS)
প্যাকেজ / কেস TO-252AA (DPAK) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা -55C to +175C —
Lead Free Yes —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
MSL লেভেল 1 (Unlimited) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
প্যাকেজ — TO-252AA (DPAK)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট