IRFR4620TRLPBF vs IRFR3607TRPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRFR4620TRLPBF bằng Infineon và IRFR3607TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF - 200V 24A N-Ch MOSFET, 78mOhm, DPAK | Infineon

IRFR4620TRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRFR3607TRPBF IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF - 75V 56A N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon | DPAK

IRFR3607TRPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRFR4620TRLPBF IRFR3607TRPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFR4620TRLPBF —
Kiểu transitor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 200 V —
Continuous Drain Current (ID) 24 A at Tc —
On-Resistance (RDS(on)) 78 mOhm max at VGS=10V —
Gate Charge (Qg) 25 nC typical —
Power Dissipation (PD) 144 W at Tc —
Technology IR MOSFET IR HEXFET (planar DMOS)
Hộp / Vỏ TO-252AA (DPAK) —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động -55C to +175C —
Lead Free Yes —
Trạng thái RoHS Compliant —
Cấp MSL 1 (Unlimited) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Total Gate Charge (Qg) — 56 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Hộp — TO-252AA (DPAK)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá