IRFZ34NPBF vs IRFB4110PBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRFZ34NPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFB4110PBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRFZ34NPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | — | In Stock |
| ইউনিট মূল্য (USD) | — | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | 29 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc=25C | 68 W | — |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | 40 mOhm | — |
| Gate Charge (Q_g) typ | 22.7 nC | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Input Capacitance (C_iss) typ | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free Status | Yes (Pb-free, RoHS compliant) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Configuration | Single N-Channel, 3-pin (3+tab) | — |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |