IRFZ34NPBF vs IRFB4110PBF השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IRFZ34NPBF מאת Infineon ו IRFB4110PBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IRFZ34NPBF | IRFB4110PBF |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | — | In Stock |
| מחיר ליחידה (USD) | — | $1.55 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | HEXFET (Planar DMOS, 5th generation) | HEXFET (planar DMOS) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at Tc=25C | 29 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (P_D) at Tc=25C | 68 W | — |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | 40 mOhm | — |
| Gate Charge (Q_g) typ | 22.7 nC | — |
| Gate Threshold Voltage V_GS(th) typ | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Input Capacitance (C_iss) typ | [DATA_NEEDED: input capacitance] | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55 C to +175 C | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| מארז | TO-220AB (3-pin + tab, through-hole) | TO-220AB (through-hole) |
| סוג הרכבה | Through Hole | Through Hole |
| Lead-Free Status | Yes (Pb-free, RoHS compliant) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant (Pb-free suffix) |
| Configuration | Single N-Channel, 3-pin (3+tab) | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A (bond-wire limited) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 4.5 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V | — | 3.7 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 370 W |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix denotes Pb-free) |