IRLB4030PBF vs IRFZ48NSTRLPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLB4030PBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFZ48NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLB4030PBF | IRFZ48NSTRLPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 180 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 4.3 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 87 nC | 54 nC |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum, typical +/- 20 V] | ±20 V |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 370 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55C to +175C | — |
| প্যাকেজ | TO-220AB | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| মাউন্টিং টাইপ | Through Hole | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (StrongIRFET family) | — |
| Logic Level Drive | Yes (optimized for 4.5 V to 10 V VGS) | — |
| Qualification | JEDEC | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel Power MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C | — | 64 A |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) | — | 14 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C | — | 130 W |
| Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 | — | 3.8 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +175C |
| Packaging | — | Tape & Reel (13-inch reel, TRL) |
| Lead Finish | — | Lead-free (PBF) matte tin |
| Technology Family | — | HEXFET advanced process technology |