IRLR024NTRPBF vs IRFR024NTRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR024NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR024NTRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLR024NTRPBF | IRFR024NTRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel MOSFET, Metal Oxide | — |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 17 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=100C | [DATA_NEEDED: Id at Tc=100C] | — |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | 65 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.0 V to 2.0 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 10 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 45 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| প্যাকেজ | TO-252AA (DPAK) | TO-252-3 (DPAK, SC-63), surface mount |
| Technology | HEXFET (Advanced Process Technology) | — |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| Gate Drive Level | Logic-Level | — |
| Lead-Free / RoHS | Lead-Free / RoHS Compliant | — |
| MSL লেভেল | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Series | — | HEXFET Power MOSFET (5th generation) |
| ট্রানজিস্টর টাইপ | — | N-Channel MOSFET |
| Maximum Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 17 A (at TC = 25 C) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | 60 A |
| On-Resistance (RDS(on)) | — | 75 mOhm max (at VGS = 10 V) |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Typical Gate Charge (Qg) | — | 13.3 nC |
| Total Power Dissipation (PD) | — | 45 W (at TC = 25 C) |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55 C to +175 C |
| Packaging | — | Tape and Reel (TR) |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free / PbF terminations) |