IRLR8726TRLPBF vs IPD031N06L3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLR8726TRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IPD031N06L3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRLR8726TRLPBF IRLR8726TRLPBF - 30V 86A N-Channel StrongIRFET™ MOSFET | Infineon

IRLR8726TRLPBF - 30V 86A N-Channel StrongIRFET™ MOSFET | Infineon

IRLR8726TRLPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IPD031N06L3GATMA1 IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPD031N06L3GATMA1 - 60V 100A 3.1mΩ N-Ch OptiMOS 3 MOSFET | Infineon

IPD031N06L3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRLR8726TRLPBF IPD031N06L3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 86 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] 400 A
On-Resistance RDS(on) Max at VGS=10V 5.8 mOhm —
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) 15 nC —
Gate-Drain Charge (Qgd) [DATA_NEEDED: Qgd] —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Output Capacitance (Coss) [DATA_NEEDED: Coss] —
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C 75 W —
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা -55C to +175C —
প্যাকেজ TO-252AA (DPAK) PG-TO252-3 (DPAK)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Technology Family StrongIRFET —
RoHS Compliance ROHS3 Compliant —
Lead-Free Yes (PBF suffix) —
MSL লেভেল 1 (per JEDEC J-STD-020, inferred from PBF suffix and DPAK packaging) 1 (Unlimited)
FET Type — N-Channel
Technology — MOSFET (Metal Oxide)
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 100 A
Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 167 W
RDS(on) Max at VGS=10V — 3.1 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.2 V
Gate Drive Voltage (Max RDS(on)) — 4.5 V, 10 V
Total Gate Charge (Qg) Typ — [DATA_NEEDED: Qg typical value]
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55°C to +175°C
Series — OptiMOS 3
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট