IRLZ34NSTRLPBF vs IRFR1205TRPBF তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRLZ34NSTRLPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRFR1205TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | IRLZ34NSTRLPBF | IRFR1205TRPBF |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | 30 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 110 A | 160 A |
| RDS(on) at VGS=5V | 35 mOhm (typical) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level (5 V drive compatible) | 2 V min, 4 V max |
| Total Gate Charge (Qg) | 16.7 nC | 43.3 nC |
| Power Dissipation (Ta) | 3.8 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 68 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| প্যাকেজ | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-252AA (DPAK) |
| Built-in Body Diode | Yes | — |
| Configuration | Single with built-in diode | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Switching Frequency Optimization | Below 100 kHz | — |
| Cell Structure | HEXFET planar (5th generation) | — |
| Qualification | JEDEC standard | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant (Pb-free) | Compliant (PBF suffix = lead-free) |
| Technology | — | HEXFET (IR MOSFET, 5th generation) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 44 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/- 20 V |
| On-Resistance RDS(on) at VGS=10V | — | 27 mOhm max |
| Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 107 W |
| অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / [DATA_NEEDED: halogen status] |