IRLZ34NSTRLPBF vs IRFR1205TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLZ34NSTRLPBF توسط Infineon و IRFR1205TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLZ34NSTRLPBF IRFR1205TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC 30 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 110 A 160 A
RDS(on) at VGS=5V 35 mOhm (typical) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Logic-level (5 V drive compatible) 2 V min, 4 V max
Total Gate Charge (Qg) 16.7 nC 43.3 nC
Power Dissipation (Ta) 3.8 W —
Power Dissipation (Tc) 68 W —
محدوده دمای کاری [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
بسته‌بندی D2PAK (TO-263), surface mount TO-252AA (DPAK)
Built-in Body Diode Yes —
Configuration Single with built-in diode —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Switching Frequency Optimization Below 100 kHz —
Cell Structure HEXFET planar (5th generation) —
Qualification JEDEC standard —
وضعیت RoHS Compliant (Pb-free) Compliant (PBF suffix = lead-free)
Technology — HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 44 A
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
On-Resistance RDS(on) at VGS=10V — 27 mOhm max
Power Dissition (PD) at TC=25C — 107 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / [DATA_NEEDED: halogen status]

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت