IRS2008STRPBF vs IRS2153DSPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা IRS2008STRPBF নির্দিষ্ট Infineon ও IRS2153DSPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
IRS2008STRPBF IRS2008STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2008STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2008STRPBF ✓ সক্রিয়
Infineon
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF - 600V Self-Oscillating Half-Bridge Driver | Infineon

IRS2153DSPBF - 600V Self-Oscillating Half-Bridge Driver | Infineon

IRS2153DSPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার IRS2008STRPBF IRS2153DSPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRS2008STRPBF —
ফাংশন Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Driven Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous) —
Channel Type Synchronous (independent inputs) —
আউটপুটের সংখ্যা 2 (high-side + low-side) 2 (HO, LO)
আউটপুট টাইপ Non-Inverting —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V (per datasheet family) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 200 V 600 V
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
VCC UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
VBS UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
Shutdown Pin (SD) Yes (active logic-level shutdown) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40 C to +125 C (industrial) -40 C to +125 C
প্যাকেজ 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width 8-SOIC (SOIC-8)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
MSL লেভেল [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট