IRS2008STRPBF vs IRS2153DSPBF तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IRS2008STRPBF द्वारा Infineon और IRS2153DSPBF द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IRS2008STRPBF IRS2008STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2008STRPBF - 200V Half-Bridge Gate Driver IC | Infineon

IRS2008STRPBF ✓ सक्रिय
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IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF - 600V Self-Oscillating Half-Bridge Driver | Infineon

IRS2153DSPBF - 600V Self-Oscillating Half-Bridge Driver | Infineon

IRS2153DSPBF ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IRS2008STRPBF IRS2153DSPBF
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRS2008STRPBF —
फ़ंक्शन Half-Bridge Gate Driver Half-bridge gate driver with RC input oscillator
Driven Configuration Half-Bridge (High-Side + Low-Side, synchronous) —
Channel Type Synchronous (independent inputs) —
आउटपुट की संख्या 2 (high-side + low-side) 2 (HO, LO)
आउटपुट प्रकार Non-Inverting —
Logic Input Compatibility TTL/CMOS —
Input Voltage (VCC) 10 V to 20 V (per datasheet family) —
Maximum Offset Voltage (Voffset) 200 V 600 V
Source Current (typ.) 0.29 A —
Sink Current (typ.) 0.6 A —
Rise Time (typ.) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (typ.) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (typ.) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
VCC UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
VBS UVLO Threshold Yes (per datasheet family) —
Shutdown Pin (SD) Yes (active logic-level shutdown) —
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C (industrial) -40 C to +125 C
पैकेज 8-SOIC (SOIC N), 3.90 mm body width 8-SOIC (SOIC-8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (Tape & Reel) Surface Mount
Lead Finish Matte Tin (lead-free) —
RoHS स्थिति Compliant —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Configuration — High-side + low-side driver, half-bridge
VCC Supply Voltage — 10 V to 20 V
VBS High-side Supply Voltage — VCC + 0.3 V (typical bootstrap)
Gate Drive Source Current (IO+) — 130 mA typical
Gate Drive Sink Current (IO-) — 270 mA typical
Rise Time (tr) — [DATA_NEEDED: tr] (typical ~100 ns)
Fall Time (tf) — [DATA_NEEDED: tf] (typical ~50 ns)
Internal Deadtime — ~1.2 us
Input Type — RC-input oscillator (no external PWM required)
Logic Polarity — Inverting / Non-inverting per channel
Undervoltage Lockout — Yes (VCC)
Technology — HVIC + latch-immune CMOS

डेटाशीट और संसाधन

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