ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC015N04NM5ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC014N04LSIATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | ISC015N04NM5ATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Infineon | Infineon |
| ক্যাটাগরি | MOSFETs | MOSFETs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55 C to +150 C |
| প্যাকেজ / কেস | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| পিন সংখ্যা | 8 | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant |
| MSL লেভেল | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| প্যাকেজ | — | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| Tradename | — | OptiMOS |