ISC015N04NM5ATMA1 vs BSC014N04LSIATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از ISC015N04NM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC014N04LSIATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | ISC015N04NM5ATMA1 | BSC014N04LSIATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | MOSFETs | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Normal Level | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | OptiMOS 5 (trench MOSFET) | OptiMOS 5 (trench, thin-wafer) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.4 V (typ) | — |
| R_DS(on) max | 1.5 mOhm @ VGS=10 V, ID=50 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | 33 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 206 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] | [DATA_NEEDED: pulsed IDM rating] |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 115 W | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | -55 C to +175 C (junction, per OptiMOS 5) | -55 C to +150 C |
| پیکیج / کیس | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) | — |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 8 | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| MSL لیول | 1 (per Infineon SuperSO8 family) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drive Level | Normal Level (VGS(th) ~3.4 V) | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 100 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 31 A |
| RDS(on) max at VGS=10 V | — | 1.4 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS absolute maximum] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 96 W |
| Power Dissipation (PD, Ta) | — | 2.5 W |
| پیکیج | — | PG-TDSON-8 FL (TDSON-8 with exposed drain pad) |
| Tradename | — | OptiMOS |