ISC046N13NM6ATMA1 vs ISC0805NLSATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা ISC046N13NM6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও ISC0805NLSATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
ISC046N13NM6ATMA1 ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 - 135V N-Ch MOSFET 142A | Infineon

ISC046N13NM6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
ISC0805NLSATMA1 ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 - 100V 71A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISC0805NLSATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার ISC046N13NM6ATMA1 ISC0805NLSATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family OptiMOS 6 —
ট্রানজিস্টর টাইপ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 135 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) at TA 17 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC 142 A —
Power Dissipation (PD) at TA 3 W 2.5 W
Power Dissipation (PD) at TC 211 W 74 W
প্যাকেজ / কেস PG-TDSON-8 —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 C to +175 C -55 °C to +150 °C
Technology OptiMOS 6 trench MOSFET —
Gate Drive (recommended) 10 V (typical) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
Product Family — OptiMOS™ 5
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 13 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 71 A
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 10.7 mΩ at 4.5V VGS; [DATA_NEEDED: RDS(on) max at 10V]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V — 10.7 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 2.3 V
Gate Charge Qg typ at VGS=4.5V — 16 nC
Input Capacitance Ciss — 2.2 nF
Reverse Transfer Capacitance Crss — 23 pF
Output Capacitance Coss — 360 pF
প্যাকেজ — PG-TDSON-8-46 (SuperSO8 5x6)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট