K4A4G165WF-BCTD vs K4A4G165WE-BCTD তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4A4G165WF-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4A4G165WE-BCTD নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Samsung Electronics
K4A4G165WE-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 256Mx16 1.2V | Samsung
K4A4G165WE-BCTD ✓ সক্রিয়বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | K4A4G165WF-BCTD | K4A4G165WE-BCTD |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | DRAM |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| স্টক স্ট্যাটাস | In Stock | — |
| ইউনিট মূল্য (USD) | $8.20 | — |
| মেমরি টাইপ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| মেমরি সাইজ | 4 Gbit | 4 Gbit |
| সংগঠন | 256M x 16 | — |
| Speed (Data Rate) | 2666 Mbps (DDR4-2666) | — |
| Supply Voltage VDD | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) | — |
| I/O Voltage VDDQ | 1.2 V | — |
| ইন্টারফেস | SSTL-12 | Parallel, x16 |
| প্যাকেজ | FBGA-96 (PBGA96) | FBGA-96 (TFBGA) |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | 0C to +95C | 0C to +85C |
| বৈশিষ্ট্য | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask | — |
| Technology | Samsung F-die CMOS | — |
| Bank Groups | 4 (x16 configuration) | — |
| Refresh | Self-refresh and auto-refresh supported | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | Compliant | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Memory Organization | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Die Generation | — | E-die |
| Terminal Count | — | 96 |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: max data rate / CAS latency for -BCTD suffix] |
| Product Status | — | Active |
| Datasheet Revision | — | K4A4G165WE Rev. 1.4, Jun. 2016 |
| Burst Length | — | BL8 (JEDEC DDR4) |
| Bank Group Architecture | — | Yes (DDR4) |