K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCWE তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4AAG165WM-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4AAG165WM-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCWE K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCWE
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি Memory ICs DRAM
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gb 16 Gbit
সংগঠন 1G x 16 256M x 16 (1G x 16)
ডেটা রেট 3200 Mbps 3200 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
ইন্টারফেস DDR4 (SSTL-12) Parallel (DDR4)
প্যাকেজ 96-ball FBGA 78-ball FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
CRC Function Yes —
ZQ Calibration Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
Data Mask Function Yes —
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE]
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Supply Voltage VDD — 1.2 V
Supply Voltage VDDQ — 1.2 V
Access Time (Clock Cycle Time) — [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin]
CAS লেটেন্সি — [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps]
Bank Groups — 4 (x16 configuration)
Burst Length — 8
Die Revision — W (WM suffix)
Operating Frequency — 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট