K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCWE तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना K4AAG165WM-BCRC द्वारा Samsung Electronics और K4AAG165WM-BCWE द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung
K4AAG165WM-BCRC ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| ब्रांड | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| संगठन | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| डेटा दर | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| इंटरफ़ेस | DDR4 (SSTL-12) | Parallel (DDR4) |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |