K4AAG165WM-BCRC vs K4AAG165WM-BCWE موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K4AAG165WM-BCRC بذریعہ Samsung Electronics اور K4AAG165WM-BCWE بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | K4AAG165WM-BCRC | K4AAG165WM-BCWE |
|---|---|---|
| برانڈ | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | DRAM |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| تنظیم | 1G x 16 | 256M x 16 (1G x 16) |
| ڈیٹا ریٹ | 3200 Mbps | 3200 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| انٹرفیس | DDR4 (SSTL-12) | Parallel (DDR4) |
| پیکیج | 96-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC] | [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps] | — |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage VDD | — | 1.2 V |
| Supply Voltage VDDQ | — | 1.2 V |
| Access Time (Clock Cycle Time) | — | [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] |
| CAS لیٹنسی | — | [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] |
| Bank Groups | — | 4 (x16 configuration) |
| Burst Length | — | 8 |
| Die Revision | — | W (WM suffix) |
| Operating Frequency | — | 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) |