K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCRC তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K4AAG165WM-BCWE নির্দিষ্ট Samsung Electronics ও K4AAG165WM-BCRC নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCWE K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K4AAG165WM-BCWE K4AAG165WM-BCRC
ব্র্যান্ড Samsung Electronics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
সংগঠন 256M x 16 (1G x 16) 1G x 16
ডেটা রেট 3200 Mbps 3200 Mbps
ইন্টারফেস Parallel (DDR4) DDR4 (SSTL-12)
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Access Time (Clock Cycle Time) [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] —
CAS লেটেন্সি [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] —
Bank Groups 4 (x16 configuration) —
Burst Length 8 —
প্যাকেজ 78-ball FBGA 96-ball FBGA
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Die Revision W (WM suffix) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Operating Frequency 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট