K4AAG165WM-BCWE vs K4AAG165WM-BCRC So sánh

So sánh chi tiết song song của K4AAG165WM-BCWE bằng Samsung Electronics và K4AAG165WM-BCRC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCWE K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE - 16Gb DDR4-3200 SDRAM x16 | Samsung

K4AAG165WM-BCWE ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4AAG165WM-BCRC K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC - 16Gb DDR4 x16 SDRAM 3200Mbps | Samsung

K4AAG165WM-BCRC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số K4AAG165WM-BCWE K4AAG165WM-BCRC
Thương hiệu Samsung Electronics Samsung Electronics
Danh mục DRAM Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 16 Gbit 16 Gb
Tổ chức 256M x 16 (1G x 16) 1G x 16
Tốc độ dữ liệu 3200 Mbps 3200 Mbps
Giao diện Parallel (DDR4) DDR4 (SSTL-12)
Supply Voltage VDD 1.2 V —
Supply Voltage VDDQ 1.2 V —
Access Time (Clock Cycle Time) [DATA_NEEDED: tCK for BCWE bin] —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CL at 3200 Mbps] —
Bank Groups 4 (x16 configuration) —
Burst Length 8 —
Hộp 78-ball FBGA 96-ball FBGA
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động [DATA_NEEDED: temperature range for WM-BCWE] [DATA_NEEDED: operating temperature range for K4AAG165WM-BCRC]
Die Revision W (WM suffix) —
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Operating Frequency 1600 MHz (DDR, 3200 Mbps) —
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
Data Mask Function — Yes
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency at 3200 Mbps]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá