K6F2016U4E-EF70T vs K6F2016U4D-FF70T00 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা K6F2016U4E-EF70T নির্দিষ্ট Samsung Electro-Mechanics ও K6F2016U4D-FF70T00 নির্দিষ্ট Samsung Electronics. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T ✓ সক্রিয়
Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4D-FF70T00
ব্র্যান্ড Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
ক্যাটাগরি DRAM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM
মেমরি সাইজ 2 Mbit 2 Mbit
সংগঠন 128K x 16 128K x 16
ইন্টারফেস Parallel Parallel
Access Time (tAA) 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.3 V —
Technology Full CMOS Full CMOS
প্যাকেজ 48-TFBGA (6 x 7) 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: operating temperature range] Industrial temperature range
Active Supply Current (ICC1) [DATA_NEEDED: ICC1] —
Standby Current (ICC2) [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] —
Control Signals CE, OE, WE —
Refresh Requirement None (static RAM) —
RoHS স্ট্যাটাস [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতার মাত্রা (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Supply Voltage (Vcc) — 2.7 V to 3.3 V
Write Cycle Time (tWP) — 50 ns
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns
Power Feature — Super low power and low voltage
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট