K6F2016U4E-EF70T vs K6F2016U4D-FF70T00 So sánh
So sánh chi tiết song song của K6F2016U4E-EF70T bằng Samsung Electro-Mechanics và K6F2016U4D-FF70T00 bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung
K6F2016U4E-EF70T ✓ Hoạt độngSamsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung
K6F2016U4D-FF70T00 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | K6F2016U4E-EF70T | K6F2016U4D-FF70T00 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Samsung Electro-Mechanics | Samsung Electronics |
| Danh mục | DRAM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | SRAM - Asynchronous | Asynchronous SRAM |
| Kích thước bộ nhớ | 2 Mbit | 2 Mbit |
| Tổ chức | 128K x 16 | 128K x 16 |
| Giao diện | Parallel | Parallel |
| Access Time (tAA) | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.3 V | — |
| Technology | Full CMOS | Full CMOS |
| Hộp | 48-TFBGA (6 x 7) | 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | Industrial temperature range |
| Active Supply Current (ICC1) | [DATA_NEEDED: ICC1] | — |
| Standby Current (ICC2) | [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] | — |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Refresh Requirement | None (static RAM) | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Cấp độ độ ẩm nhạy cảm (MSL) | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Supply Voltage (Vcc) | — | 2.7 V to 3.3 V |
| Write Cycle Time (tWP) | — | 50 ns |
| Speed Grades in Family | — | 55 ns, 70 ns |
| Power Feature | — | Super low power and low voltage |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |