K6F2016U4E-EF70T vs K6F2016U4D-FF70T00 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از K6F2016U4E-EF70T بذریعہ Samsung Electro-Mechanics اور K6F2016U4D-FF70T00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Samsung Electro-Mechanics
K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-TFBGA | Samsung

K6F2016U4E-EF70T ✓ فعال
Samsung Electronics
K6F2016U4D-FF70T00 K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 - 2Mbit Async SRAM 70ns 48-FBGA | Samsung

K6F2016U4D-FF70T00 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر K6F2016U4E-EF70T K6F2016U4D-FF70T00
برانڈ Samsung Electro-Mechanics Samsung Electronics
زمرہ DRAM Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ SRAM - Asynchronous Asynchronous SRAM
میموری سائز 2 Mbit 2 Mbit
تنظیم 128K x 16 128K x 16
انٹرفیس Parallel Parallel
Access Time (tAA) 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.3 V —
Technology Full CMOS Full CMOS
پیکیج 48-TFBGA (6 x 7) 48-FBGA (6x7 mm) chip-scale package
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت [DATA_NEEDED: operating temperature range] Industrial temperature range
Active Supply Current (ICC1) [DATA_NEEDED: ICC1] —
Standby Current (ICC2) [DATA_NEEDED: ICC2 for 70 ns grade] —
Control Signals CE, OE, WE —
Refresh Requirement None (static RAM) —
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
نمی حساسیت کی سطح (MSL) [DATA_NEEDED: MSL level] —
Supply Voltage (Vcc) — 2.7 V to 3.3 V
Write Cycle Time (tWP) — 50 ns
Speed Grades in Family — 55 ns, 70 ns
Power Feature — Super low power and low voltage
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current — [DATA_NEEDED: operating current]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں