M29F400FT55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29F400FT55N3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29F800FT55M3F2 নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29F400FT55N3F2 M29F800FT55M3F2
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি EEPROM Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash (SLC) Parallel NOR Flash
মেমরি সাইজ 4 Mbit —
সংগঠন 256K x 16 512K x 16 / 1M x 8
ইন্টারফেস Parallel Parallel, x8/x16 selectable
Access Time 55 ns 55 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ 5 V —
Block Architecture Top boot block —
প্যাকেজ 44-SO (SOP-44) 44-pin SO (SOP)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) —
Compliance Suffix F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) —
Programming Voltage Single supply (no 12 V VPP required) —
Technology Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase —
Max Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] [DATA_NEEDED: endurance cycles]
অপারেটিং তাপমাত্রা [DATA_NEEDED: min operating temperature] -40C to +125C
Density — 8 Mbit (8389 kbits)
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Position — Top boot block
Programming Interface — Embedded program/erase controller
Packaging — Tape & Reel (TR)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
RoHS স্ট্যাটাস — Compliant (lead-free suffix F2)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট