M29F400FT55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 So sánh
So sánh chi tiết song song của M29F400FT55N3F2 bằng Micron Technology và M29F800FT55M3F2 bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ Hoạt độngMicron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | M29F400FT55N3F2 | M29F800FT55M3F2 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Micron Technology | Micron Technology |
| Danh mục | EEPROM | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | NOR Flash (SLC) | Parallel NOR Flash |
| Kích thước bộ nhớ | 4 Mbit | — |
| Tổ chức | 256K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Giao diện | Parallel | Parallel, x8/x16 selectable |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Điện áp cung cấp | 5 V | — |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| Hộp | 44-SO (SOP-44) | 44-pin SO (SOP) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| Nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 8 Mbit (8389 kbits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Position | — | Top boot block |
| Programming Interface | — | Embedded program/erase controller |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant (lead-free suffix F2) |