M29F400FT55N3F2 vs M29F800FT55M3F2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma M29F400FT55N3F2 tarafından Micron Technology ve M29F800FT55M3F2 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ AktifMicron Technology
M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F800FT55M3F2 ✓ AktifÖzellik Karşılaştırması
| Parametre | M29F400FT55N3F2 | M29F800FT55M3F2 |
|---|---|---|
| Marka | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategori | EEPROM | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Bellek Türü | NOR Flash (SLC) | Parallel NOR Flash |
| Bellek Boyutu | 4 Mbit | — |
| Organizasyon | 256K x 16 | 512K x 16 / 1M x 8 |
| Arayüz | Parallel | Parallel, x8/x16 selectable |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Besleme Gerilimi | 5 V | — |
| Block Architecture | Top boot block | — |
| Paket | 44-SO (SOP-44) | 44-pin SO (SOP) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) | — |
| Compliance Suffix | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) | — |
| Programming Voltage | Single supply (no 12 V VPP required) | — |
| Technology | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase | — |
| Max Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: min operating temperature] | -40C to +125C |
| Density | — | 8 Mbit (8389 kbits) |
| Supply Voltage (VCC) | — | 5 V |
| Boot Block Position | — | Top boot block |
| Programming Interface | — | Embedded program/erase controller |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| RoHS Durumu | — | Compliant (lead-free suffix F2) |