M29W064FT70N3E vs M29W128GH70N3E তুলনা
. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W064FT70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W128GH70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন
Micron Technology
M29W064FT70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W064FT70N3E ✓ সক্রিয়
বিশিষ্টতা তুলনা
| পারামিটার | M29W064FT70N3E | M29W128GH70N3E |
|---|---|---|
| ব্র্যান্ড | Micron Technology | Micron Technology |
| ক্যাটাগরি | Memory ICs | Memory ICs |
| লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস | সক্রিয় | সক্রিয় |
| মেমরি টাইপ | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash |
| Density | 64 Mbit | — |
| সংগঠন | 8 Mb x8 or 4 Mb x16 | 8M x 16 / 16M x 8 |
| ইন্টারফেস | Parallel, CFI compliant | Parallel (asynchronous) |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| সাপ্লাই ভোল্টেজ | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Boot Block Architecture | Top boot block (FT) | — |
| অপারেটিং তাপমাত্রা | -40C to +85C | -40C to +125C |
| প্যাকেজ | 48-TSOP | 56-TSOP |
| মাউন্টিং টাইপ | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming Voltage | Single 3 V supply (no separate VPP required) | — |
| Erase/Program Method | Command-set page programming, block erase | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | [DATA_NEEDED: endurance] |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read supply current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| RoHS স্ট্যাটাস | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| মেমরি সাইজ | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Temperature Grade | — | Automotive |
| Number of Terminals | — | 56 |
| ডেটা বাস প্রস্থ | — | 16 bit (byte/word selectable) |
| Memory Density | — | 131072 kbit |
| Programming | — | Command-sequence program/erase with status polling |
| Application Segment | — | Automotive / Industrial code storage |