M29W128GL70ZA3E vs M29W128GL70ZS3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W128GL70ZA3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W128GL70ZS3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZS3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Memory ICs Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash NOR Flash
Density 128 Mbit —
সংগঠন 16M x 8 / 8M x 16 —
ইন্টারফেস Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
সাপ্লাই ভোল্টেজ 3V / 3.3V 2.7 V to 3.6 V (3 V class)
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C (per distributor code data)
প্যাকেজ 64-TBGA (10x13 mm) 64-FBGA (11x13 mm)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Boot Block Location Bottom boot (GL variant) —
Bus Width Selection BYTE pin (x8/x16) —
Packaging Tray —
RoHS স্ট্যাটাস unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA Code] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
মেমরি সাইজ — 128 Mbit (16 MB)
Family — M29W128G (GL variant)
Bus Width — x16
Boot Block Architecture — Bottom boot (GL)
Program/Erase Supply — Single supply (no separate VPP required)
MSL লেভেল — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট