M29W128GL70ZA3E vs M29W128GL70ZS3E مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار M29W128GL70ZA3E توسط Micron Technology و M29W128GL70ZS3E توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ فعالمقایسه مشخصات
| پارامتر | M29W128GL70ZA3E | M29W128GL70ZS3E |
|---|---|---|
| برند | Micron Technology | Micron Technology |
| دسته‌بندی | Memory ICs | Memory ICs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| سازمان | 16M x 8 / 8M x 16 | — |
| رابط | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| ولتاژ تغذیه | 3V / 3.3V | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) |
| دمای کاری | -40C to +125C | -40C to +125C (per distributor code data) |
| بسته‌بندی | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-FBGA (11x13 mm) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom boot (GL variant) | — |
| Bus Width Selection | BYTE pin (x8/x16) | — |
| Packaging | Tray | — |
| وضعیت RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA Code] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] | — |
| اندازه حافظه | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Family | — | M29W128G (GL variant) |
| Bus Width | — | x16 |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot (GL) |
| Program/Erase Supply | — | Single supply (no separate VPP required) |
| سطح MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |