M29W320DB70N3E vs M29W640GB70N3E তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা M29W320DB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology ও M29W640GB70N3E নির্দিষ্ট Micron Technology. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ সক্রিয়
Micron Technology
M29W640GB70N3E M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার M29W320DB70N3E M29W640GB70N3E
ব্র্যান্ড Micron Technology Micron Technology
ক্যাটাগরি Flash Memory ICs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
মেমরি টাইপ NOR Flash NOR Flash
Density 32 Mbit (33554 kbits) 64 Mbit (8 MByte)
সংগঠন 2M x 16 4M x16 / 8M x8
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
ইন্টারফেস Parallel Parallel, asynchronous
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) —
অপারেটিং তাপমাত্রা -40C to +125C -40C to +125C
প্যাকেজ 48-TSOP I 48-TSOP I
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
RoHS স্ট্যাটাস ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
সাপ্লাই ভোল্টেজ — 2.7 V to 3.6 V
Boot Block — Bottom boot block (GB)
Programming — Word/Byte program, block erase
Command Set — M29W family standard command set
Chipset Validation — N/A
FBGA Code — N/A
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট