M29W320DB70N3E vs M29W640GB70N3E So sánh

So sánh chi tiết song song của M29W320DB70N3E bằng Micron Technology và M29W640GB70N3E bằng Micron Technology. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Hoạt động
Micron Technology
M29W640GB70N3E M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E - 64Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W640GB70N3E ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số M29W320DB70N3E M29W640GB70N3E
Thương hiệu Micron Technology Micron Technology
Danh mục Flash Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ NOR Flash NOR Flash
Density 32 Mbit (33554 kbits) 64 Mbit (8 MByte)
Tổ chức 2M x 16 4M x16 / 8M x8
Number of Words 2000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 70 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V —
VPP Fast Program Voltage 12 V (optional) —
Giao diện Parallel Parallel, asynchronous
Block Architecture Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) —
Nhiệt độ hoạt động -40C to +125C -40C to +125C
Hộp 48-TSOP I 48-TSOP I
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Trạng thái RoHS ROHS3 Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Programming Mode Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling —
Power-Up Mode Read mode (default) —
Điện áp cung cấp — 2.7 V to 3.6 V
Boot Block — Bottom boot block (GB)
Programming — Word/Byte program, block erase
Command Set — M29W family standard command set
Chipset Validation — N/A
FBGA Code — N/A
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá